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To Samsung anunciou planos that pretends começar a fabricar transistores em mbada no processo of 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field Effect) em 2021 . Além disso, a empresa reiterou that a produção de 7nm EUV realmente coma ainda este ano, no segundo semester
A técnologia GAAFET vai ser uma sucessora do processo FinFET, como explica o Tom's Hardware . Segundo o site, transistors GAA contam com quatro portas em cada um dos quatro lados of um cbad, o that allows superar limits of escalonamento físico e performance that acontecem no processo FinFET.
A tecnologia GAAFET that has Samsung vai usar em seus transistors It is also a matter of course, where the company has a number of concorrents and processes of fabricating components. O processo em 7nm EUV that ainda chega neste ano já está em desenvolvimento em outras gigantes também, como a TSMC ea Global Foundries, mas parece that ainda badim a sul-coreana ainda vai chegar na frente, já tendo desenvolvido uma ferramenta de inspecção de máscara internamente that ainda não tem semelhantes na concorrência. S esse pode ser um dos motivos pra já termos rumores da Nvidia encomendando componentes da Samsung para sua próxima geração de GPUs ainda from 2020.
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